Todo sobre el procesador del Galaxy S8

El Galaxy S, como su propio nombre indica, es el octavo componente de una larga abolengo de teléfonos móviles diseñados por la empresa surcoreana Samsung. Todos ellos, desde el primer maniquí hasta el postrer, han destacado en múltiples aspectos, aunque en nadie ha sido tan constante y pionero como en el rendimiento bruto de sus componentes internos.

Desde el primer Galaxy S, Samsung demostró el potencial de sus chips propios, e hizo ver que su camino con destino a el éxito estaría traumatizado por la máxima entrega de potencia por parte de sus teléfonos móviles. Aquel primer maniquí contaba con un SoC Hummingbird, cuya CPU mononúcleo de 1 GHz y su GPU PowerVR SGX540 superaban las propuestas de fabricantes como Qualcomm y rivalizaban directamente con el chip A4 de Apple, incluido por la compañía en el iPhone 4. El DAC (digital-to-analog-conversor, empleado para señales de audio) de aquel teléfono, por cierto, estaba firmado por Wolfson y fue muy elogiado por los audiófilos.

El Galaxy S II destacó en el historial de Samsung por ser uno de los teléfonos más completos y mejor construidos de la compañía.

El sistema de ficheros esforzado por Samsung a su teléfono sino fue el único “traspiés” de la compañía en cuanto a rendimiento se refiere. Afortunadamente, un año más tarde, el Galaxy S II llegaba a las tiendas, y lo hacía con un sistema de ficheros a la valor. Además, llegó con una configuración interna que ningún otro fabricante de la plataforma Android logró equiparar durante aquel momento: Samsung Exynos 4210 y 1 GB de memoria RAM.

El S II no solo superó a los principales teléfonos del momento; además supuso el decano brinco de rendimiento generacional en CPU de los ocho Galaxy S que Samsung ha presentado hasta la época: 77% de progreso en rendimiento mononúcleo y 170% de progreso en rendimiento multinúcleo. Nuevamente, solo Apple estaba en la misma batalla que Samsung en números brutos.

Con el Galaxy S III, Samsung continuó su reto por los chips propios, pero la carestia de satisfacer la demanda de teléfonos compatibles con las redes LTE y la complejidad de incorporar un modem compatible en los SoCs Exynos obligó a la compañía a divulgar dos variantes del teléfono: Galaxy S III Snapdragon y Galaxy S III Exynos.

El maniquí con Exynos fue el que llegó a Europa, y lo hizo con 1 GB de memoria RAM y un SoC Exynos 4412, cuya CPU elevó el número de núcleos hasta cuatro y la frecuencia del temporalizador hasta los 1,4 GHz. El maniquí Qualcomm, destinado a EE.UU., Canadá y Japón, llegó con un Snapdragon S4 (CPU de doble núcleo) y 2 GB de memoria RAM.

El maniquí Exynos del Galaxy S III, nuevamente, superó a las otras variantes y a los principales teléfonos de la primera porción de 2012. Pero la carestia de ofrecer LTE obligó a crear dos variantes.

El maniquí Exynos superaba en la mayoría de pruebas de rendimiento al maniquí Snapdragon S4 —no confundir con el S4 Pro—. Pero la inferioridad en términos de conectividad era evidente. Qualcomm siempre ha sido cachas en la parte de radiodifusión, y eso penalizó a la expansión de la variación Exynos.

La dualidad de modelos ha continuado incluso hasta el Galaxy S7. En algunas ocasiones (Galaxy S6 y Galaxy S7), la reto principal se hizo por el maniquí Exynos; en otras ocasiones (Galaxy S4 y Galaxy S5), la reto principal fue por el maniquí con SoC Snapdragon. La dualidad de SoCs permite a Samsung atestar mejor las evacuación de cada mercado tanto a nivel de demanda de producto como a nivel de conectividad; todo ello sin penalizar la experiencia de uso del teléfono.

En el caso del Galaxy S8 europeo, la reto ha sido por el chip Exynos 8895. Sus principales virtudes:

  • CPU. Configuración big.LITTLE, con cuatro núcleos A-53 y cuatro núcleos de diseño propio de Samsung. Para tareas sencillas, el SoC activa los cuatro núcleos A-53; para tareas de adhesión exigencia, activa los cuatro núcleos de diseño propio de Samsung, los cuales han sufrido varias mejoras respecto al Exynos 8890 del Galaxy S7.

  • GPU. El Galaxy S8 tiene la misma pelotón de procesamiento descriptivo que el Huawei P10 y el Huawei Mate 9: una Mali-G71. Eso sí, la variación utilizada en el teléfono de Samsung cuenta con vigésimo núcleos en su interior; la variación del P10 y el Mate 9, en cambio, solo cuenta con ocho núcleos. Este incremento en núcleos convierte al Galaxy S8 en uno de los teléfonos con mejor rendimiento descriptivo del momento.

  • 10 nanometros FinFET. El decano avance del Exynos 8895 llega en su proceso de fabricación. Los diez nanometros FinFET traen bajo el benefactor un beocio consumo energético, imprescindible para conservar la buena autonomía del Galaxy S8. Samsung afirma que la progreso oscila el 40% respecto al Exynos 8890 del Galaxy S7.

  • Conectividad gigabit. El Exynos 8895 se suma a la moda de la conectividad gigabit y ofrece LTE Categoría 16, capaz de trabajar con un encantado de partida del orden del gigabit por segundo.

El SoC del Galaxy S8 establece un nuevo nivel en cuanto a rendimiento y eficiencia energética se refiere. La CPU, según las pruebas de Geekbench elaboradas por Hipertextual, sitúan este chip por delante de otros como el A10 y el Kirin 960 en tests multinúcleo. En la variación mononúcleo, el chip A10 de Apple continúa su incuestionable hegemonía.

En la parte gráfica, el incremento de núcleos permite al S8 situarse a la par del iPhone 7 Plus, mayor arquetipo en la serie adhesión. Otros teléfonos como el P10 o el G6 quedan relegados a una agrupación completamente diferente. Y eso es una excelente aviso para Samsung.


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